BY25D10ASMIG(R)
BY25D10ASMIG(R) 1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
型号:
BY25D10ASMIG(R)
制造商:
BYTe Semiconductor
类别:
集成电路(ICs) > 存储器 > 存储器
描述:
1 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -40
RoHS:
YES
BY25D10ASMIG(R) 规格
零件状态:
Active
工作温度:
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型:
Surface Mount
等级:
-
认证:
-
内存类型:
Non-Volatile
内存容量:
1Mbit
存储器结构:
128K x 8
电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
内存格式:
FLASH
技术:
FLASH - NOR
访问时间:
7 ns
封装 / 外壳:
8-UFDFN Exposed Pad
时钟频率:
108 MHz
内存接口:
SPI - Dual I/O
供应商器件封装:
8-USON (2x3)
写入周期时间 - 字,页:
2.4ms