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+86-755-82564498
HYB25D512800CE-5
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
型号：
HYB25D512800CE-5
制造商：
Qimonda
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
RoHS：
YES
HYB25D512800CE-5规格
零件状态
:
Discontinued at
安装类型
:
Surface Mount
工作温度
:
0°C ~ 70°C (TA)
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
内存接口
:
Parallel
写入周期时间 - 字，页
:
-
时钟频率
:
200 MHz
电压 - 供电
:
2.3V ~ 2.7V
内存容量
:
512Mbit
存储器结构
:
64M x 8
内存格式
:
DRAM
技术
:
SDRAM - DDR
封装 / 外壳
:
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
供应商器件封装
:
66-TSOP II
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