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+86-755-82564498
IS61NLP25636A-200B3I
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
型号：
IS61NLP25636A-200B3I
制造商：
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
类别：
集成电路（ICs）
> 存储器
> 存储器
描述：
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA
RoHS：
YES
IS61NLP25636A-200B3I规格
零件状态
:
Obsolete
工作温度
:
-40°C ~ 85°C (TA)
安装类型
:
Surface Mount
可编程
:
Not Verified
内存类型
:
Volatile
内存接口
:
Parallel
写入周期时间 - 字，页
:
-
时钟频率
:
200 MHz
电压 - 供电
:
3.135V ~ 3.465V
内存格式
:
SRAM
技术
:
SRAM - Synchronous, SDR
内存容量
:
9Mbit
存储器结构
:
256K x 36
封装 / 外壳
:
165-TBGA
供应商器件封装
:
165-TFBGA (13x15)
访问时间
:
3.1 ns
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